本研究针对硅基自旋量子比特在二维扩展中面临的微波加热效应和串扰问题，创新性地采用基带跳跃控制方案。研究人员在28Si/SiGe异质结构上构建2×2量子点阵列，通过工程化纳米磁体设计实现了99.50(6)%保真度的hopping gate（跳跃门），有效规避了EDSR（电偶极自旋共振）操作中的瞬态频率偏移问题，为大规模硅基量子处理器发展提供了新思路。
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